Name: IMZA65R015M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R015M2HXKSA1-ND
Price: 17.1836 EUR
Availability: OutOfStock

N-Kanal 650 V 103 A (Tc) 341W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-8

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IMZA65R015M2HXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMZA65R015M2HXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMZA65R015M2HXKSA1
Beschreibung	SILICON CARBIDE MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 103 A (Tc) 341W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 13mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 79 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™ Gen 2	Vgs (Max.) +23V, -7V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2792 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 341W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-4-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 103 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-247-4
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 20V	Basis-Produktnummer IMZA65R015
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 13,2mOhm bei 64,2A, 20V

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