Name: DMHC3025LSD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMHC3025LSD-13DITR-ND
Price: 1.309 EUR
Availability: OutOfStock

DMHC3025LSD-13 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

Diotec Semiconductor

Vorrätig: 0

Stückpreis : 1,99000 €

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMHC3025LSD-13
DigiKey-Teilenr.	DMHC3025LSD-13DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMHC3025LSD-13DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMHC3025LSD-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMHC3025LSD-13
Beschreibung	MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 6 A, 4,2 A 1,5W (Ta) Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DMHC3025LSD-13 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA
Hersteller Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 1,5W (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N- und 2 P-Kanal (Vollbrücke)	Montagetyp Oberflächenmontage
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6 A, 4,2 A	Basis-Produktnummer DMHC3025
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V