Parametrisches Äquivalent

DMWSH120H18HM4Q | |
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DigiKey-Teilenr. | 31-DMWSH120H18HM4Q-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | DMWSH120H18HM4Q |
Beschreibung | SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 16 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1200 V 108 A (Tc) 313W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 158 nC @ 18 V |
Herst. | Vgs (Max.) +22V, -10V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4206 pF @ 800 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 313W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Klasse Automobiltechnik |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V | Qualifizierung AEC-Q101 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Montagetyp Durchkontaktierung |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4 |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 18mOhm bei 75A, 18V | Gehäuse / Hülle |
Vgs(th) (max.) bei Id 4,4V bei 37mA |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
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| DMWSH120H18HM4 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMWSH120H18HM4-ND | 23,86000 € | Parametrisches Äquivalent |
Dies ist der beim Lieferanten verfügbare Bestand, der DigiKey möglicherweise bei Eingang der Bestellung zur Verfügung steht.
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 1 | 29,43000 € | 29,43 € |
| 30 | 19,99433 € | 599,83 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 29,43000 € |
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| Stückpreis mit MwSt.: | 35,02170 € |


