Parametrisches Äquivalent

DI2A2N100D1K-AQ | |
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DigiKey-Teilenr. | 4878-DI2A2N100D1K-AQ-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | DI2A2N100D1K-AQ |
Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 2.2A TO-252-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 8 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1000 V 2,2 A (Tc) 30W (Tc) Oberflächenmontage TO-252 (DPAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | DI2A2N100D1K-AQ Modelle |
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 25 nC @ 10 V |
Herst. | Vgs (Max.) ±25V |
Verpackung Lose im Beutel | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 510 pF @ 25 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 30W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Klasse Automobiltechnik |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V | Qualifizierung AEC-Q101 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Montagetyp Oberflächenmontage |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252 (DPAK) |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 6,8Ohm bei 1,5A, 10V | Gehäuse / Hülle |
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
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| DI2A2N100D1K | Diotec Semiconductor | 0 | 4878-DI2A2N100D1KCT-ND | 1,71000 € | Parametrisches Äquivalent |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 2.500 | 0,53134 € | 1.328,35 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 0,53134 € |
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| Stückpreis mit MwSt.: | 0,63229 € |



