BCW61BE6327HTSA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,58000 €
Datenblatt

Ähnlich


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,17286 €
Datenblatt

Ähnlich


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,67000 €
Datenblatt

Ähnlich


Diodes Incorporated
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,21000 €
Datenblatt

Ähnlich


Diodes Incorporated
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,14000 €
Datenblatt

Ähnlich


Diodes Incorporated
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,16000 €
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 362
Stückpreis : 0,18000 €
Datenblatt

Ähnlich


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,18000 €
Datenblatt

Ähnlich


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,18000 €
Datenblatt

Ähnlich


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,18000 €
Datenblatt

Ähnlich


Central Semiconductor Corp
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,94000 €
Datenblatt

Ähnlich


Diodes Incorporated
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,49000 €
Datenblatt

Ähnlich


Diodes Incorporated
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,49000 €
Datenblatt

Ähnlich


Diodes Incorporated
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,49000 €
Datenblatt
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 32 V 100 mA 250MHz 330 mW Oberflächenmontage PG-SOT23
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BCW61BE6327HTSA1

DigiKey-Teilenr.
BCW61BE6327HTSA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
BCW61BE6327HTSA1
Beschreibung
TRANS PNP 32V 0.1A PG-SOT23
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 32 V 100 mA 250MHz 330 mW Oberflächenmontage PG-SOT23
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
BCW61BE6327HTSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Ähnliche Produkte anzeigen
Leere Attribute anzeigen
Kategorie
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
180 bei 2mA, 5V
Herst.
Leistung - Max.
330 mW
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Frequenz - Übergang
250MHz
Status der Komponente
Obsolet
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Transistor-Typ
Montagetyp
Oberflächenmontage
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
32 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-SOT23
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
550mV bei 1,25mA, 50mA
Basis-Produktnummer
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
20 nA (ICBO)
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (25)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
2SB1695KT146Rohm Semiconductor02SB1695KT146CT-ND0,58000 ۀhnlich
2SB1706TLRohm Semiconductor02SB1706TLCT-ND0,17286 ۀhnlich
2SB1710TLRohm Semiconductor02SB1710TLCT-ND0,67000 ۀhnlich
BC807-40-7-FDiodes Incorporated0BC807-40FCT-ND0,21000 ۀhnlich
BC858B-7-FDiodes Incorporated031-BC858B-7-FCT-ND0,14000 ۀhnlich
Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.