Name: BSZ050N03LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ050N03LSGATMA1TR-ND
Price: 0.5712 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

BSZ050N03LSGATMA1
DigiKey-Teilenr.	BSZ050N03LSGATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) BSZ050N03LSGATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) BSZ050N03LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSZ050N03LSGATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 16 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,2V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 35 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2800 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,1W (Ta), 50W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSDSON-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 16 A (Ta), 40 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer BSZ050
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 5mOhm bei 20A, 10V