Name: IAUCN10S7N021ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN10S7N021ATMA1TR-ND
Price: 3.7009 EUR
Availability: OutOfStock

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IAUCN10S7N021ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUCN10S7N021ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUCN10S7N021ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUCN10S7N021ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUCN10S7N021ATMA1
Beschreibung	MOSFET_(75V 120V(
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 175A (Tj) 217W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-53
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUCN10S7N021ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,2V bei 130µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 105 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 7	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7153 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 217W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 175A (Tj)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7V, 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-53
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,1mOhm bei 88A, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN