Name: IGL65R055D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGL65R055D2XUMA1TR-ND
Price: 6.6164 EUR
Availability: OutOfStock

Neues Produkt

N-Kanal 650 V 22 A (Tc) 111W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke PG-TSON-8-U06

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IGL65R055D2XUMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IGL65R055D2XUMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IGL65R055D2XUMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IGL65R055D2XUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IGL65R055D2XUMA1
Beschreibung	GANFET N-CH 650V 22A 8TDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 22 A (Tc) 111W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke PG-TSON-8-U06
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1,6V bei 2,6mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 4.7 nC @ 3 V
Serie CoolGaN™ G5	Vgs (Max.) -10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 340 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 111W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Montagetyp Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSON-8-U06
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 22 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-TDFN mit freiliegendem Pad
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 70mOhm @ 7.9A

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