Name: IGT65R035D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGT65R035D2ATMA1TR-ND
Price: 10.0436 EUR
Availability: OutOfStock

N-Kanal 650 V 49 A (Tc) 167W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IGT65R035D2ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IGT65R035D2ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IGT65R035D2ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IGT65R035D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IGT65R035D2ATMA1
Beschreibung	GANFET N-CH 650V 49A 8PSFN
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 49 A (Tc) 167W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IGT65R035D2ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1,6V bei 4,2mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 7.7 nC @ 3 V
Serie CoolGaN™ G5	Vgs (Max.) -10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 540 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 167W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie GaNFET (Galliumnitrid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HSOF-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 49 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerSFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 42mOhm @ 13A

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