Name: IMTA65R026M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMTA65R026M2HXTMA1TR-ND
Price: 10.9004 EUR
Availability: OutOfStock

N-Kanal 650 V 79 A (Tc) 357W (Tc) Oberflächenmontage PG-LHSOF-4-1

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IMTA65R026M2HXTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMTA65R026M2HXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMTA65R026M2HXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMTA65R026M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMTA65R026M2HXTMA1
Beschreibung	SILICON CARBIDE MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 79 A (Tc) 357W (Tc) Oberflächenmontage PG-LHSOF-4-1
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 24mOhm bei 34,5A, 20V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 7mA
Serie CoolSiC™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 42 nC @ 18 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +23V, -7V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1499 pF @ 400 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 357W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 79 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-LHSOF-4-1
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 20V	Gehäuse / Hülle 4-PowerLSFN