Parametrisches Äquivalent

IMZA75R027M1HXKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | 448-IMZA75R027M1HXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IMZA75R027M1HXKSA1 |
Beschreibung | SILICON CARBIDE MOSFET |
Standardlieferzeit des Herstellers | 61 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 750 V 60A (Tj) 234W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 8,8mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 49 nC @ 18 V |
Serie | Vgs (Max.) +23V, -5V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1668 pF @ 500 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 234W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 750 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-4 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 20V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 25mOhm bei 24,5A, 20V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
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| AIMZA75R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-AIMZA75R027M1HXKSA1-ND | 12,69000 € | Parametrisches Äquivalent |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 11,76000 € | 11,76 € |
| 30 | 7,17467 € | 215,24 € |
| 120 | 6,22542 € | 747,05 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 11,76000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 13,99440 € |


