Name: IMZC120R053M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZC120R053M2HXKSA1-ND
Price: 9.0083 EUR
Availability: OutOfStock

N-Kanal 1200 V 38 A (Tc) 182W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-17

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMZC120R053M2HXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMZC120R053M2HXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMZC120R053M2HXKSA1
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 38A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 38 A (Tc) 182W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-17
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMZC120R053M2HXKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 53mOhm bei 13A, 18V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 5,1V bei 4,1mA
Serie CoolSiC™ G2	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 30 nC @ 18 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +23V, -7V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1010 pF @ 800 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 182W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 38 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-4-17
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 18V	Gehäuse / Hülle TO-247-4

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1	7,57000 €	7,57 €
30	4,44900 €	133,47 €
120	3,76367 €	451,64 €
510	3,50333 €	1.786,70 €

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