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N-Kanal 600 V 13,8 A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPA60R280P6XKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPA60R280P6XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPA60R280P6XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 13,8 A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-FP
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPA60R280P6XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 430µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
25.5 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1190 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
32W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-FP
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
280mOhm bei 5,2A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (4)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
AOTF15S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1518-5-ND2,95000 ۀhnlich
R6014YNXC7GRohm Semiconductor0846-R6014YNXC7G-ND3,51000 ۀhnlich
SIHA15N65E-GE3Vishay Siliconix0SIHA15N65E-GE3-ND3,51000 ۀhnlich
TK17A80W,S4XToshiba Semiconductor and Storage0TK17A80WS4X-ND4,16000 ۀhnlich
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,08000 €2,08 €
501,01900 €50,95 €
1000,91590 €91,59 €
5000,73530 €367,65 €
1.0000,67723 €677,23 €
2.0000,62840 €1.256,80 €
5.0000,61503 €3.075,15 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:2,08000 €
Stückpreis mit MwSt.:2,47520 €