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N-Kanal 650 V 22,4 A (Tc) 34,7W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-111
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPA65R150CFDXKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPA65R150CFDXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPA65R150CFDXKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 22,4 A (Tc) 34,7W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-111
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 1mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
86 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2340 pF @ 100 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
34,7W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3-111
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
150mOhm bei 9,3A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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