Name: IPAW60R180P7SXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPAW60R180P7SXKSA1-ND
Price: 2.1777 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 18 A (Tc) 26W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220 voller Pack

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IPAW60R180P7SXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPAW60R180P7SXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPAW60R180P7SXKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 18 A (Tc) 26W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220 voller Pack
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPAW60R180P7SXKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 280µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 25 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1081 pF @ 400 V
Status der Komponente Nur verfügbar bis	Verlustleistung (max.) 26W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220 voller Pack
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 18 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3 voller Pack
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPAW60
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 180mOhm bei 5,6A, 10V

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Ersatzartikel (5)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
IPA60R180P7SXKSA1	Infineon Technologies	0	448-IPA60R180P7SXKSA1-ND	1,74000 €	Vom Hersteller empfohlen
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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	1,83000 €	1,83 €
45	0,81289 €	36,58 €
135	0,70222 €	94,80 €
540	0,64020 €	345,71 €
1.035	0,58416 €	604,61 €
2.025	0,58025 €	1.175,01 €
5.040	0,54585 €	2.751,08 €

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