Name: IPB038N12N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB038N12N3GATMA1TR-ND
Price: 5.1408 EUR
Availability: OutOfStock

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IPB038N12N3GATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB038N12N3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB038N12N3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB038N12N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB038N12N3GATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	49 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 120 V 120 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB038N12N3GATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 270µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 211 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 13800 pF @ 60 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 120 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 120 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPB038
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,8mOhm bei 100A, 10V