IPB200N15N3GATMA1 Infineon Technologies | Einzelne FETs, MOSFETs

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IPB200N15N3GATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB200N15N3GATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB200N15N3GATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB200N15N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB200N15N3GATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 50 A (Tc) 150W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB200N15N3GATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 90µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 31 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1820 pF @ 75 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 50 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 8V, 10V	Basis-Produktnummer IPB200
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 20mOhm bei 50A, 10V