Name: IPB35N10S3L26ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB35N10S3L26ATMA1TR-ND
Price: 2.8917 EUR
Availability: OutOfStock

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IPB35N10S3L26ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPB35N10S3L26ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPB35N10S3L26ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPB35N10S3L26ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB35N10S3L26ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 35 A (Tc) 71W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 39 nC @ 10 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) ±20V
Serie OptiMOS™	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2700 pF @ 25 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 71W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 35 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 26,3mOhm bei 35A, 10V	Basis-Produktnummer IPB35N10
Vgs(th) (max.) bei Id 2,4V bei 39µA