Name: IPB60R099CPATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R099CPATMA1TR-ND
Price: 7.378 EUR
Availability: InStock

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IPB60R099CPATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPB60R099CPATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPB60R099CPATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPB60R099CPATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB60R099CPATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 31 A (Tc) 255W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPB60R099CPATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 1,2mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 80 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CP	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2800 pF @ 100 V
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen	Verlustleistung (max.) 255W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3-2
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 31 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPB60R099
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 99mOhm bei 18A, 10V

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Ersatzartikel (7)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
SIHB33N60E-GE3	Vishay Siliconix	0	SIHB33N60E-GE3-ND	4,90000 €	Direkter Ersatz
STB26NM60N	STMicroelectronics	0	497-10985-1-ND	6,53000 €	Ähnlich
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IPB60R099CPATMA1