Name: IPD11DP10NMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD11DP10NMATMA1TR-ND
Price: 2.0587 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPD11DP10NMATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPD11DP10NMATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPD11DP10NMATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPD11DP10NMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD11DP10NMATMA1
Beschreibung	TRENCH >=100V PG-TO252-3
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 100 V 3,4A (Ta), 22A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD11DP10NMATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1,7mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 74 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3200 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 125W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO252-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 3,4A (Ta), 22A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPD11D
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 111mOhm bei 18A, 10V