Name: IPD130N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD130N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 1.666 EUR
Availability: OutOfStock

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IPD130N10NF2SATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPD130N10NF2SATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPD130N10NF2SATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPD130N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD130N10NF2SATMA1
Beschreibung	MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 11A (Ta), 52A (Tc) 3W (Ta), 71W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD130N10NF2SATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 13mOhm bei 30A, 10V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 3,8V bei 30µA
Serie StrongIRFET™ 2	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 28 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1300 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 71W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 11A (Ta), 52A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO252-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63