Name: IPD30N06S215ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD30N06S215ATMA2TR-ND
Price: 2.0944 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPD30N06S215ATMA2
DigiKey-Teilenr.	IPD30N06S215ATMA2TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPD30N06S215ATMA2CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPD30N06S215ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD30N06S215ATMA2
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 55 V 30 A (Tc) 136W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3-11
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD30N06S215ATMA2 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 110 nC @ 10 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) ±20V
Serie OptiMOS™	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1485 pF @ 25 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 136W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 30 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO252-3-11
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 14,7mOhm bei 30A, 10V	Basis-Produktnummer IPD30N06
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 80µA