Name: IPD60R1K4C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R1K4C6ATMA1TR-ND
Price: 1.0948 EUR
Availability: OutOfStock

IPD60R1K4C6ATMA1 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

STMicroelectronics

Vorrätig: 0

Stückpreis : 1,93000 €

Ähnlich

STMicroelectronics

Vorrätig: 136

Stückpreis : 2,30000 €

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPD60R1K4C6ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPD60R1K4C6ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPD60R1K4C6ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPD60R1K4C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD60R1K4C6ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 3,2 A (Tc) 28,4W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD60R1K4C6ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 90µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 9.4 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ C6	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 200 pF @ 100 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 28,4W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO252-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 3,2 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPD60R
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,4Ohm bei 1,1A, 10V