Name: IPD60R950C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R950C6ATMA1TR-ND
Price: 1.5232 EUR
Availability: OutOfStock

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STMicroelectronics

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IPD60R950C6ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPD60R950C6ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPD60R950C6ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPD60R950C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD60R950C6ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 4,4 A (Tc) 37W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD60R950C6ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 130µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 13 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ C6	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 280 pF @ 100 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 37W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO252-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4,4 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPD60R
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 950mOhm bei 1,5A, 10V