N-Kanal 650 V 2,8 A (Tc) 28,4W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 650 V 2,8 A (Tc) 28,4W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD65R1K4CFDATMA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPD65R1K4CFDATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPD65R1K4CFDATMA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 2,8 A (Tc) 28,4W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPD65R1K4CFDATMA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 100µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
10 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
262 pF @ 100 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
28,4W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO252-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,4Ohm bei 1A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt.