Name: IPD95R450P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD95R450P7ATMA1TR-ND
Price: 2.8679 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPD95R450P7ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPD95R450P7ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPD95R450P7ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPD95R450P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD95R450P7ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Standardlieferzeit des Herstellers	29 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 950 V 14 A (Tc) 104W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD95R450P7ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 360µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 35 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1053 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 104W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 950 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO252-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 14 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPD95R450
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 450mOhm bei 7,2A, 10V