Name: IPN60R2K1CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN60R2K1CEATMA1TR-ND
Price: 0.7378 EUR
Availability: OutOfStock

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IPN60R2K1CEATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPN60R2K1CEATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPN60R2K1CEATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPN60R2K1CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPN60R2K1CEATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 3,7 A (Tc) 5W (Tc) Oberflächenmontage PG-SOT223-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPN60R2K1CEATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 60µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 6.7 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CE	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 140 pF @ 100 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 5W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-SOT223-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 3,7 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-261-4, TO-261AA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPN60R2
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,1Ohm bei 800mA, 10V

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