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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPP60R125C6XKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPP60R125C6XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP60R125C6XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 30 A (Tc) 219W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP60R125C6XKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 960µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 96 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2127 pF @ 100 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 219W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 125mOhm bei 14,5A, 10V |
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Ersatzartikel (7)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| STP45N60DM2AG | STMicroelectronics | 0 | 497-16128-5-ND | 5,41000 € | Direkter Ersatz |
| R6035VNX3C16 | Rohm Semiconductor | 0 | 846-R6035VNX3C16-ND | 5,51000 € | Ähnlich |
| SIHP30N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHP30N60E-E3-ND | 2,26852 € | Ähnlich |
| STP26NM60N | STMicroelectronics | 0 | 497-9064-5-ND | 6,38000 € | Ähnlich |
| STP33N60M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-14221-5-ND | 4,04000 € | Ähnlich |
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 4,52000 € | 4,52 € |
| 50 | 2,36140 € | 118,07 € |
| 100 | 2,15300 € | 215,30 € |
| 500 | 1,78798 € | 893,99 € |
| 1.000 | 1,69337 € | 1.693,37 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 4,52000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 5,37880 € |
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