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N-Kanal 600 V 18 A (Tc) 92W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
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IPP60R125CFD7XKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPP60R125CFD7XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP60R125CFD7XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 18A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 18 A (Tc) 92W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP60R125CFD7XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 390µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
36 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1503 pF @ 400 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
92W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
125mOhm bei 7,8A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (4)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
FCP104N60Fonsemi0FCP104N60FOS-ND5,64000 ۀhnlich
SIHP28N65E-GE3Vishay Siliconix0SIHP28N65E-GE3-ND2,02373 ۀhnlich
STP33N60M2STMicroelectronics0497-14221-5-ND4,04000 ۀhnlich
TK25E60X,S1XToshiba Semiconductor and Storage0TK25E60XS1X-ND5,13000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,43000 €3,43 €
501,83420 €91,71 €
1001,75490 €175,49 €
5001,44528 €722,64 €
1.0001,34585 €1.345,85 €
2.0001,32139 €2.642,78 €
Standardverpackung des Herstellers
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