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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPP60R160C6XKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IPP60R160C6XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP60R160C6XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 23,8 A (Tc) 176W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP60R160C6XKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 750µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 75 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1660 pF @ 100 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 176W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 160mOhm bei 11,3A, 10V |
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Ersatzartikel (11)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| STP45N60DM2AG | STMicroelectronics | 0 | 497-16128-5-ND | 5,41000 € | Direkter Ersatz |
| FCP190N60E | onsemi | 0 | FCP190N60EOS-ND | 3,57000 € | Ähnlich |
| FCP20N60 | onsemi | 0 | FCP20N60-ND | 5,25000 € | Ähnlich |
| FCPF20N60 | onsemi | 0 | FCPF20N60-ND | 5,26000 € | Ähnlich |
| SIHP21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP21N60EF-GE3-ND | 4,16000 € | Ähnlich |
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 3,58000 € | 3,58 € |
| 50 | 1,83020 € | 91,51 € |
| 100 | 1,66120 € | 166,12 € |
| 500 | 1,36508 € | 682,54 € |
| 1.000 | 1,26996 € | 1.269,96 € |
| 2.000 | 1,23591 € | 2.471,82 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 3,58000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 4,26020 € |
