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Infineon Technologies
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Stückpreis : 3,29000 €
Datenblatt
N-Kanal 650 V 11 A (Tc) 96W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP60R299CPXKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPP60R299CPXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP60R299CPXKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 11 A (Tc) 96W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP60R299CPXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 440µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
29 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1100 pF @ 100 V
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Verlustleistung (max.)
96W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
299mOhm bei 6,6A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (15)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IPP60R280P7XKSA1Infineon Technologies0IPP60R280P7XKSA1-ND1,92000 €Vom Hersteller empfohlen
STP13N80K5STMicroelectronics0497-13779-5-ND3,22000 €Direkter Ersatz
AOT11S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1510-5-ND0,00000 ۀhnlich
FCP11N60onsemi0FCP11N60-ND3,40000 ۀhnlich
FCP9N60Nonsemi0FCP9N60N-ND0,00000 ۀhnlich
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501,35360 €67,68 €
1001,22210 €122,21 €
5000,99154 €495,77 €
1.0000,91748 €917,48 €
2.0000,85522 €1.710,44 €
5.0000,84747 €4.237,35 €
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