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N-Kanal 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
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IPP65R110CFDAAKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPP65R110CFDAAKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP65R110CFDAAKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
30 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP65R110CFDAAKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
118 nC @ 10 V
Herst.
Vgs (Max.)
±20V
Serie
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3240 pF @ 100 V
Verpackung
Stange
Verlustleistung (max.)
277,8W (Tc)
Status der Komponente
Aktiv
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
FET-Typ
Klasse
Automobiltechnik
Technologie
Qualifizierung
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
110mOhm bei 12,7A, 10V
Basis-Produktnummer
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 1,3mA
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (6)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
AOT42S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1515-5-ND5,76000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,99000 €2,99 €
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1002,77270 €277,27 €
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Stückpreis mit MwSt.:3,55810 €