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STMicroelectronics
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Datenblatt
N-Kanal 600 V 3,1 A (Tc) 28W (Tc) Durchkontaktierung TO-251
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IPU60R1K5CEBKMA1

DigiKey-Teilenr.
IPU60R1K5CEBKMA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPU60R1K5CEBKMA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 3,1 A (Tc) 28W (Tc) Durchkontaktierung TO-251
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 90µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
9.4 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
200 pF @ 100 V
Status der Komponente
Bei DigiKey nicht mehr erhältlich
Verlustleistung (max.)
28W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-251
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,5Ohm bei 1,1A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
STD6N65M2STMicroelectronics0497-15049-1-ND1,26000 ۀhnlich
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