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N-Kanal 600 V 25 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPW60R125CPFKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPW60R125CPFKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPW60R125CPFKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 25 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-1
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPW60R125CPFKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 1,1mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
70 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2500 pF @ 100 V
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-3-1
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
125mOhm bei 16A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (8)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
STW50N65DM2AGSTMicroelectronics0497-16138-5-ND3,25000 €Direkter Ersatz
FCH110N65F-F155onsemi0FCH110N65F-F155-ND7,47000 ۀhnlich
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