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IPW60R280E6FKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | IPW60R280E6FKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPW60R280E6FKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 13,8 A (Tc) 104W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-1 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 430µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 43 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 950 pF @ 100 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 104W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3-1 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 280mOhm bei 6,5A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
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| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R180P7XKSA1-ND | 2,88000 € | Vom Hersteller empfohlen |
| IXFH26N60P | IXYS | 0 | 238-IXFH26N60P-ND | 8,57000 € | Ähnlich |
| STW18N60M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-15284-5-ND | 2,52000 € | Ähnlich |
| STW18NM60N | STMicroelectronics | 0 | 497-STW18NM60N-ND | 5,78000 € | Ähnlich |
| TK14N65W,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK14N65WS1F-ND | 4,16000 € | Ähnlich |





