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IPW65R080CFDAFKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPW65R080CFDAFKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPW65R080CFDAFKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 29 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 43,3 A (Tc) 391W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPW65R080CFDAFKSA1 Modelle |
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 161 nC @ 10 V |
Herst. | Vgs (Max.) ±20V |
Serie | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4440 pF @ 100 V |
Verpackung Stange | Verlustleistung (max.) 391W (Tc) |
Status der Komponente Aktiv | Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ) |
FET-Typ | Klasse Automobiltechnik |
Technologie | Qualifizierung AEC-Q101 |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 80mOhm bei 17,6A, 10V | Basis-Produktnummer |
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 1,76mA |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFH46N65X2 | IXYS | 0 | 238-IXFH46N65X2-ND | 6,34000 € | Ähnlich |
| SIHG40N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG40N60E-GE3-ND | 5,95000 € | Ähnlich |
| STW48NM60N | STMicroelectronics | 0 | 497-11367-5-ND | 6,80000 € | Ähnlich |
| TK35N65W,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK35N65WS1F-ND | 8,59000 € | Ähnlich |
| TK39N60W5,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK39N60W5S1VF-ND | 6,03000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 6,65000 € | 6,65 € |
| 30 | 3,59067 € | 107,72 € |
| 120 | 3,45725 € | 414,87 € |
| 510 | 3,07110 € | 1.566,26 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 6,65000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 7,91350 € |












