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N-Kanal 650 V 38 A (Tc) 278W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPW65R099C6FKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPW65R099C6FKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPW65R099C6FKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 38A TO247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 38 A (Tc) 278W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-1
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPW65R099C6FKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 1,2mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
127 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2780 pF @ 100 V
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Verlustleistung (max.)
278W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-3-1
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
99mOhm bei 12,8A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (9)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
STW65N80K5STMicroelectronics0497-16333-5-ND9,97000 €Direkter Ersatz
FCH077N65F-F085onsemi0FCH077N65F-F085-ND9,99000 ۀhnlich
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