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N-Kanal 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3
PG-TO247-3

IPW65R150CFDAFKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPW65R150CFDAFKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPW65R150CFDAFKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers
21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPW65R150CFDAFKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
86 nC @ 10 V
Herst.
Vgs (Max.)
±20V
Serie
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2340 pF @ 100 V
Verpackung
Stange
Verlustleistung (max.)
195,3W (Tc)
Status der Komponente
Aktiv
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
FET-Typ
Klasse
Automobiltechnik
Technologie
Qualifizierung
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
150mOhm bei 9,3A, 10V
Basis-Produktnummer
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 900µA
Umwelt- und Exportklassifikationen
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