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IPW65R190CFDFKSA2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IPW65R190CFDFKSA2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPW65R190CFDFKSA2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 31 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 17,5 A (Tc) 151W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-41 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPW65R190CFDFKSA2 Modelle |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 700µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 68 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1850 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 151W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3-41 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 190mOhm bei 7,3A, 10V |
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Ersatzartikel (4)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R190CFDFKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPW65R190CFDFKSA1-ND | 0,00000 € | Parametrisches Äquivalent |
| IXFX44N80P | IXYS | 0 | 238-IXFX44N80P-ND | 18,81000 € | Ähnlich |
| SIHG22N60EL-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG22N60EL-GE3-ND | 1,83120 € | Ähnlich |
| SIHG24N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHG24N65E-GE3-ND | 5,72000 € | Ähnlich |
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 3,59000 € | 3,59 € |
| 30 | 2,06833 € | 62,05 € |
| 120 | 1,68358 € | 202,03 € |
| 510 | 1,42388 € | 726,18 € |
| 1.020 | 1,24245 € | 1.267,30 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 3,59000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 4,27210 € |
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