Vom Hersteller empfohlen
Ähnlich
Ähnlich

IPW65R420CFDFKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IPW65R420CFDFKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPW65R420CFDFKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 8,7 A (Tc) 83,3W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-1 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 340µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 32 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 870 pF @ 100 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 83,3W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3-1 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 420mOhm bei 3,4A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R420CFDFKSA2 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPW65R420CFDFKSA2-ND | 2,72000 € | Vom Hersteller empfohlen |
| IXFH15N80 | IXYS | 0 | IXFH15N80-ND | 0,00000 € | Ähnlich |
| SIHG11N80E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG11N80E-GE3-ND | 1,66180 € | Ähnlich |




