IRF520NSTRLPBF Infineon Technologies | Einzelne FETs, MOSFETs

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IRF520NSTRLPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF520NSTRLPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF520NSTRLPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 9,7 A (Tc) 3,8W (Ta), 48W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 25 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 330 pF @ 25 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 3,8W (Ta), 48W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten D2PAK
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9,7 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IRF520
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 200mOhm bei 5,7A, 10V