Name: IRF530NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF530NSTRLPBFTR-ND
Price: 1.2257 EUR
Availability: OutOfStock

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IRF530NSTRLPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF530NSTRLPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF530NSTRLPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRF530NSTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF530NSTRLPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 17 A (Tc) 3,8W (Ta), 70W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF530NSTRLPBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 37 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 920 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,8W (Ta), 70W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten D2PAK
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 17 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IRF530
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 90mOhm bei 9A, 10V

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Ersatzartikel (5)

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