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N-Kanal 100 V 120 A (Tc) 370W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFB4110PBF

DigiKey-Teilenr.
448-IRFB4110PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFB4110PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 120 A (Tc) 370W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRFB4110PBF Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
210 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
9620 pF @ 50 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
370W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4,5mOhm bei 75A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (15)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IPP048N12N3GXKSA1Infineon Technologies0IPP048N12N3GXKSA1-ND4,16000 ۀhnlich
AOT284LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0AOT284L-ND1,06465 ۀhnlich
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12,08000 €2,08 €
500,95560 €47,78 €
1000,93850 €93,85 €
5000,90032 €450,16 €
1.0000,83897 €838,97 €
2.0000,82901 €1.658,02 €
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