Name: IRFH8201TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH8201TRPBFTR-ND
Price: 2.0944 EUR
Availability: OutOfStock

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IRFH8201TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRFH8201TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRFH8201TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRFH8201TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFH8201TRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 25 V 49 A (Ta), 100 A (Tc) 3,6W (Ta), 156W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFH8201TRPBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,35V bei 150µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 111 nC @ 10 V
Serie HEXFET®, StrongIRFET™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7330 pF @ 13 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,6W (Ta), 156W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-PQFN (5x6)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 49 A (Ta), 100 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer IRFH8201
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 0,95mOhm bei 50A, 10V