Name: ISC130N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC130N20NM6ATMA1TR-ND
Price: 4.8671 EUR
Availability: OutOfStock

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ISC130N20NM6ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISC130N20NM6ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISC130N20NM6ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISC130N20NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISC130N20NM6ATMA1
Beschreibung	MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 9,8A (Ta), 88A (Tc) 3W (Ta), 242W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSON-8-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11,7mOhm bei 50A, 15V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 135µA
Serie OptiMOS™ 6	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 58 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3900 pF @ 100 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 242W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9,8A (Ta), 88A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSON-8-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V, 15V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN