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N-Kanal 650 V 20,7 A (Tc) 34,5W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-31
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SPA20N65C3XKSA1

DigiKey-Teilenr.
SPA20N65C3XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SPA20N65C3XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 20,7 A (Tc) 34,5W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-31
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SPA20N65C3XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,9V bei 1mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
114 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2400 pF @ 25 V
Status der Komponente
Nur verfügbar bis
Verlustleistung (max.)
34,5W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3-31
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
190mOhm bei 13,1A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (9)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IPA65R190C7XKSA1Infineon Technologies0IPA65R190C7XKSA1-ND2,48000 €Vom Hersteller empfohlen
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Letzte Kaufgelegenheit
Verfügbar bis: 31.03.2026