Name: SPD04P10PLGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD04P10PLGBTMA1TR-ND
Price: 1.2614 EUR
Availability: OutOfStock

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SPD04P10PLGBTMA1
DigiKey-Teilenr.	SPD04P10PLGBTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SPD04P10PLGBTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SPD04P10PLGBTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	SPD04P10PLGBTMA1
Beschreibung	MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 100 V 4,2 A (Tc) 38W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SPD04P10PLGBTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 16 nC @ 10 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) ±20V
Serie SIPMOS®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 372 pF @ 25 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 38W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ P-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4,2 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO252-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 850mOhm bei 3A, 10V	Basis-Produktnummer SPD04P10
Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 380µA