SPP08N80C3XKSA1 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
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N-Kanal 800 V 8 A (Tc) 104W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SPP08N80C3XKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-SPP08N80C3XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SPP08N80C3XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 8 A (Tc) 104W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SPP08N80C3XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,9V bei 470µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
60 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1100 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
104W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
650mOhm bei 5,1A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (8)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
AOT10N60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0AOT10N60L-ND0,00000 ۀhnlich
FQP8N80Consemi0FQP8N80CFS-ND3,50000 ۀhnlich
IRF830AVishay Siliconix0IRF830A-ND0,00000 ۀhnlich
IRF830APBFVishay Siliconix0IRF830APBF-ND2,45000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,24000 €2,24 €
501,16680 €58,34 €
1001,09200 €109,20 €
5000,80888 €404,44 €
1.0000,79405 €794,05 €
2.0000,75758 €1.515,16 €
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Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:2,66560 €