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SPP08N80C3XKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-SPP08N80C3XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SPP08N80C3XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 19 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 8 A (Tc) 104W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SPP08N80C3XKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,9V bei 470µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 60 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1100 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 104W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 650mOhm bei 5,1A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| AOT10N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | AOT10N60L-ND | 0,00000 € | Ähnlich |
| FQP8N80C | onsemi | 0 | FQP8N80CFS-ND | 3,50000 € | Ähnlich |
| IRF830A | Vishay Siliconix | 0 | IRF830A-ND | 0,00000 € | Ähnlich |
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 0 | IRF830APBF-ND | 2,45000 € | Ähnlich |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 0 | IRFBC30APBF-ND | 3,16000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 2,24000 € | 2,24 € |
| 50 | 1,16680 € | 58,34 € |
| 100 | 1,09200 € | 109,20 € |
| 500 | 0,80888 € | 404,44 € |
| 1.000 | 0,79405 € | 794,05 € |
| 2.000 | 0,75758 € | 1.515,16 € |
| 5.000 | 0,73709 € | 3.685,45 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,24000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 2,66560 € |













