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IXFA10N60P | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IXFA10N60P-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXFA10N60P |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 10A TO263 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 27 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 10 A (Tc) 200W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA (IXFA) |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5,5V bei 1mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 32 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1610 pF @ 25 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 200W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Oberflächenmontage |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263AA (IXFA) |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 740mOhm bei 5A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| AOB10N60L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1541-1-ND | 1,85000 € | Ähnlich |
| R6007ENJTL | Rohm Semiconductor | 0 | R6007ENJTLCT-ND | 1,96000 € | Ähnlich |
| R6007KNJTL | Rohm Semiconductor | 14 | R6007KNJTLCT-ND | 1,65000 € | Ähnlich |
| SIHFS9N60A-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHFS9N60A-GE3-ND | 0,80678 € | Ähnlich |
| STB10N60M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-STB10N60M2CT-ND | 1,87000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 3,98000 € | 3,98 € |
| 50 | 2,13120 € | 106,56 € |
| 100 | 2,03220 € | 203,22 € |
| 500 | 1,73396 € | 866,98 € |
| 1.000 | 1,63405 € | 1.634,05 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 3,98000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 4,73620 € |








