N-Kanal 650 V 150 A (Tc) 1560W (Tc) Durchkontaktierung PLUS264™
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IXFB150N65X2

DigiKey-Teilenr.
IXFB150N65X2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFB150N65X2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
Standardlieferzeit des Herstellers
40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 150 A (Tc) 1560W (Tc) Durchkontaktierung PLUS264™
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IXFB150N65X2 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5,5V bei 8mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
430 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
20400 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
1560W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PLUS264™
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
17mOhm bei 75A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
0 auf Lager
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
126,25000 €26,25 €
2519,66520 €491,63 €
10018,62290 €1.862,29 €
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Stückpreis mit MwSt.:31,23750 €
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